SSM6N58NU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	129pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	129pF @ 15V

SSM6N58NU,LF

SSM6N58NU,LF характеристики