SSM6N55NU,LF(T характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-µDFN(2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1W
Исполнение корпуса	6-µDFN(2x2)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V

SSM6N55NU,LF(T

SSM6N55NU,LF(T характеристики