SSM6N42FE(TE85L,F) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6N42
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6N42
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 10V

SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F) характеристики