SSM6N39TU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	UF6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	119 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	UF6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	119 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 10V

SSM6N39TU,LF

SSM6N39TU,LF характеристики