SSM6N37FU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V

SSM6N37FU,LF

SSM6N37FU,LF характеристики