SSM6N35AFE,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	ES6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	ES6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V

SSM6N35AFE,LF

SSM6N35AFE,LF характеристики