SSM6N15AFU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V

SSM6N15AFU,LF

SSM6N15AFU,LF характеристики