SSM6N15AFE,LM характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6N15
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6N15
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V

SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM характеристики