SSM6L36FE,LM характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6L36
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA, 330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 200mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6L36
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA, 330mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 200mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 10V

SSM6L36FE,LM

SSM6L36FE,LM характеристики