SSM6L35FE,LM характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6L35
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	150mW
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Base Part Number	SSM6L35
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V

SSM6L35FE,LM

SSM6L35FE,LM характеристики