+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SSM6L16FETE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
113 ₽
  • 1 шт
    113 ₽
  • 10 шт
    69 ₽
  • 4000 шт
    24 ₽
  • 8000 шт
    22 ₽
  • 12000 шт
    21 ₽
  • 20000 шт
    19.6 ₽
  • 28000 шт
    19 ₽
  • 40000 шт
    18.2 ₽
  • 100000 шт
    18 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 113 ₽
При покупке кэшбэк 16 баллов
Добавить в корзину


SSM6L16FETE85LF характеристики
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Not For New Designs
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура 150°C (TA)
Рассеивание мощности 150mW
Исполнение корпуса ES6 (1.6x1.6)
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 0.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Характеристики
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Not For New Designs
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура 150°C (TA)
Рассеивание мощности 150mW
Исполнение корпуса ES6 (1.6x1.6)
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 0.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V

SSM6L16FETE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Бесплатная доставка SSM6L16FETE85LF по России

Транзисторы — полевые — массивы SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SSM6L16FETE85LF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1113 ₽
+ 83475 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
5 шт.
от 971 ₽
+ 72825 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 971 ₽
+ 72825 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 731 ₽
+ 54825 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1076 ₽
+ 80700 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
6 шт.
от 969 ₽
+ 72675 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
277 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 632 ₽
+ 47400 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 634 ₽
+ 47550 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
297 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 634 ₽
+ 47550 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город