SSM6L13TU(T5L,F,T) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	UF6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V, 250pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD, Flat Leads
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	500mW
Исполнение корпуса	UF6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 1.8V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V, 250pF @ 10V

SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T) характеристики