+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
84 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    84 ₽
  • 10 шт
    52 ₽
  • 100 шт
    33 ₽
  • 500 шт
    24.7 ₽
  • 1000 шт
    22 ₽
  • 3000 шт
    19 ₽
  • 6000 шт
    17.4 ₽
  • 9000 шт
    16 ₽
  • 24000 шт
    15.6 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 84 ₽
При покупке кэшбэк 12 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

SSM6L09FUTE85LF характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
  • Производитель
    Toshiba

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba

Бесплатно доставим SSM6L09FUTE85LF в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SSM6L09FUTE85LF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
60 шт - 4-6 недель
от 1995 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 299
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
47 шт - 4-6 недель
от 1864 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
18 шт - 4-6 недель
от 1864 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
44 шт - 4-6 недель
от 1446 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 217
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
459 шт - 4-6 недель
от 2092 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 314
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1967 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 295
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
164 шт - 4-6 недель
от 1326 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 199
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1457 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 219
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
119 шт - 4-6 недель
от 1304 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 196
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
90 шт - 4-6 недель
от 1326 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 199
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
106 шт - 4-6 недель
от 1349 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 202
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
13 шт - 4-6 недель
от 1986 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 298
Смотреть все
Выберите ваш город