Каталог товаров
Назад

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
76
цена с НДС
  • 1 шт
    76 ₽
  • 10 шт
    46 ₽
  • 100 шт
    29.5 ₽
  • 500 шт
    22 ₽
  • 1000 шт
    19.5 ₽
  • 3000 шт
    15.4 ₽
  • 6000 шт
    14.7 ₽
  • 9000 шт
    13 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 76
При покупке кэшбэк 11 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

SSM6L09FUTE85LF характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
  • Производитель
    Toshiba

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba

Бесплатно доставим SSM6L09FUTE85LF в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SSM6L09FUTE85LF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
15 шт - 4-6 недель
от 1868 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1354 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1224 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1844 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 277
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1842 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 276
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
135 шт - 4-6 недель
от 1221 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 183
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
93 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186