+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
80 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    80 ₽
  • 10 шт
    50 ₽
  • 100 шт
    31.5 ₽
  • 500 шт
    23.6 ₽
  • 1000 шт
    21 ₽
  • 3000 шт
    18.3 ₽
  • 6000 шт
    16.7 ₽
  • 9000 шт
    15.3 ₽
  • 24000 шт
    15 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 80 ₽
При покупке кэшбэк 12 баллов
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

SSM6L09FUTE85LF характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
  • Производитель
    Toshiba

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba

Бесплатно доставим SSM6L09FUTE85LF в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SSM6L09FUTE85LF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
60 шт - 4-6 недель
от 1957 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
48 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1403 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1936 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 290
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
18 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1283 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
479 шт - 4-6 недель
от 1978 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 297
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1886 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 283
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
164 шт - 4-6 недель
от 1271 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 191
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
30 шт - 4-6 недель
от 1414 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 212
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
119 шт - 4-6 недель
от 1250 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 188
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1430 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215
Смотреть все
Выберите ваш город