SSM6L09FUTE85LF от 85 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6, Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW
Исполнение корпуса	US6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V