+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
104 ₽
  • 1 шт
    104 ₽
  • 10 шт
    65 ₽
  • 100 шт
    41 ₽
  • 500 шт
    30.6 ₽
  • 1000 шт
    27.3 ₽
  • 3000 шт
    23 ₽
  • 6000 шт
    21 ₽
  • 9000 шт
    20 ₽
  • 15000 шт
    18.7 ₽
  • 21000 шт
    18 ₽
  • 30000 шт
    17.2 ₽
  • 75000 шт
    16 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 104 ₽
При покупке кэшбэк 15 баллов
Добавить в корзину


SSM6L09FUTE85LF характеристики
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Характеристики
Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 300mW
Исполнение корпуса US6
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V

SSM6L09FUTE85LF

  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Бесплатная доставка SSM6L09FUTE85LF по России

Транзисторы — полевые — массивы SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SSM6L09FUTE85LF с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1113 ₽
+ 83475 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
5 шт.
от 971 ₽
+ 72825 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 971 ₽
+ 72825 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 731 ₽
+ 54825 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1076 ₽
+ 80700 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
6 шт.
от 969 ₽
+ 72675 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
277 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 632 ₽
+ 47400 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 634 ₽
+ 47550 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
297 шт.
от 702 ₽
+ 52650 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 634 ₽
+ 47550 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город