SSM6K781G,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, WLCSP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-WCSPC (1.5x1.0)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, WLCSP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-WCSPC (1.5x1.0)
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

SSM6K781G,LF

SSM6K781G,LF характеристики