SSM6K514NU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIX-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	6-UDFNB (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIX-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	6-UDFNB (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SSM6K514NU,LF

SSM6K514NU,LF характеристики