SSM6J771G,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, WLCSP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 3A, 8.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA, 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 8.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, WLCSP
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 3A, 8.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA, 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 8.5V
Vgs (Max)	±12V

SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF характеристики