SSM6J512NU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFNB (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.2 mOhm @ 4A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-WDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFNB (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.2 mOhm @ 4A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±10V

SSM6J512NU,LF

SSM6J512NU,LF характеристики