SSM6J206FE(TE85L,F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	335pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ES6 (1.6x1.6)
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	335pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±8V

SSM6J206FE(TE85L,F

SSM6J206FE(TE85L,F характеристики