SSM6H19NU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 1A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 1A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±12V

SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF характеристики