SSM5G10TU(TE85L,F) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	UFV
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	UFV
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±8V

SSM5G10TU(TE85L,F)

SSM5G10TU(TE85L,F) характеристики