SSM4K27CTTPL3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CST4 (1.2x0.8)
Рассеивание мощности (Макс)	400mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 250mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	174pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CST4 (1.2x0.8)
Рассеивание мощности (Макс)	400mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 250mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	174pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Vgs (Max)	±12V

SSM4K27CTTPL3

SSM4K27CTTPL3 характеристики