SSM3K36MFV,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 200mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSIII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 200mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 5V
Vgs (Max)	±10V

SSM3K36MFV,L3F

SSM3K36MFV,L3F характеристики