SSM3K361TU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SSM3K361TU,LF

SSM3K361TU,LF характеристики