SSM3K341TU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVIII-H
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SSM3K341TU,LF

SSM3K341TU,LF характеристики