SSM3K106TU(TE85L) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 600mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 600mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SSM3K106TU(TE85L)

SSM3K106TU(TE85L) характеристики