SSM3J35CT,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-101, SOT-883
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	CST3
Рассеивание мощности (Макс)	100mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-101, SOT-883
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	CST3
Рассеивание мощности (Макс)	100mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4V
Vgs (Max)	±10V

SSM3J35CT,L3F

SSM3J35CT,L3F характеристики