SSM3J35AMFV,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	42pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	42pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F характеристики