SSM3J358R,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-3 Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23F
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.1 mOhm @ 6A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.5nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1331pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-3 Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23F
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.1 mOhm @ 6A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38.5nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1331pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Vgs (Max)	±10V

SSM3J358R,LF

SSM3J358R,LF характеристики