SSM3J352F,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	S-Mini
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	S-Mini
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Vgs (Max)	±12V

SSM3J352F,LF

SSM3J352F,LF характеристики