SSM3J16CT(TPL3) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-101, SOT-883
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CST3
Рассеивание мощности (Макс)	100mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-101, SOT-883
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	CST3
Рассеивание мощности (Макс)	100mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Vgs (Max)	±10V

SSM3J16CT(TPL3)

SSM3J16CT(TPL3) характеристики