SSM3J15FV,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.7V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	?-MOSVI
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-723
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	VESM
Рассеивание мощности (Макс)	150mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.7V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Vgs (Max)	±20V

SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F характеристики