SSM3J117TU,LF характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	U-MOSII
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-SMD, Flat Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C
Исполнение корпуса	UFM
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SSM3J117TU,LF

SSM3J117TU,LF характеристики