SQJQ404E-T1_GE3 от 616 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CHAN 40V, Vishay Siliconix

SQJQ404E-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 8 x 8
Рассеивание мощности (Макс)	150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.72 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	16480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 8 x 8
Рассеивание мощности (Макс)	150W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.72 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	16480pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V