SQJ942EP-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	17W, 48W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	17W, 48W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3 характеристики