SQJ504EP-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	34W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	34W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V

SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3 характеристики