SQJ443EP-T1_GE3 от 275 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8, Vishay Siliconix

SQJ443EP-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TA)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2030pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TA)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2030pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V