SQD50N04-5M6_T4GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	71W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс)	71W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4000pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3 характеристики