Каталог товаров
Назад

SQD10N30-330H_GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
359
  • 1 шт
    359 ₽
  • 10 шт
    271 ₽
  • 100 шт
    262 ₽
  • 500 шт
    252 ₽
  • 1000 шт
    243 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 359
При покупке кэшбэк 53 балла


SQD10N30-330H_GE3 характеристики

Серия Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс) 107W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 300V
Ток стока (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V
  • Производитель
    VISHAY

Характеристики

Серия Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-252AA
Рассеивание мощности (Макс) 107W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 300V
Ток стока (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±30V

SQD10N30-330H_GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    VISHAY

Бесплатная доставка SQD10N30-330H_GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SQD10N30-330H_GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SQD10N30-330H_GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
415 шт.
от 30 ₽
+ 23
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
5178 шт.
от 46 ₽
+ 152
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 37 ₽
+ 150
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
513673 шт.
от 91 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
596756 шт.
от 91 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
29799 шт.
от 91 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
23653 шт.
от 75 ₽
+ 11
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
511023 шт.
от 87 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
66613 шт.
от 83 ₽
+ 12
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
732830 шт.
от 91 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
19742 шт.
от 81 ₽
+ 12
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
18705 шт.
от 87 ₽
+ 13