SQ4917EY-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TA)
Рассеивание мощности	5W (Tc)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1910pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TA)
Рассеивание мощности	5W (Tc)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1910pF @ 30V

SQ4917EY-T1_GE3

SQ4917EY-T1_GE3 характеристики