SQ4005EY-T1_GE3 от 250 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC, Vishay Siliconix

SQ4005EY-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	6W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SOIC
Рассеивание мощности (Макс)	6W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm@ 13.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V