SQ3985EV-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V

SQ3985EV-T1_GE3

SQ3985EV-T1_GE3 характеристики