SQ3418AEEV-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	4W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SQ3418AEEV-T1_GE3

SQ3418AEEV-T1_GE3 характеристики