SQ1563AEH-T1_GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	89pF @ 10V, 84pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.5W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	89pF @ 10V, 84pF @ 10V

SQ1563AEH-T1_GE3

SQ1563AEH-T1_GE3 характеристики