SIZF906ADT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 характеристики