SIZ998DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 32.9W
Исполнение корпуса	8-PowerPair®
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 32.9W
Исполнение корпуса	8-PowerPair®
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual), Schottky
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 характеристики