SIZ988DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 40W
Исполнение корпуса	8-PowerPair®
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 40W
Исполнение корпуса	8-PowerPair®
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

SIZ988DT-T1-GE3

SIZ988DT-T1-GE3 характеристики