SIZ926DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 40W
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	20.2W, 40W
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 характеристики