+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SIZ920DT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
275 ₽
  • 19 шт
    275 ₽
  • 45 шт
    229 ₽
  • 177 шт
    183 ₽
  • 881 шт
    160 ₽
  • 1887 шт
    138 ₽
Добавить в корзину 19 шт на сумму 5 225 ₽
При покупке кэшбэк 783 балла
Добавить в корзину


SIZ920DT-T1-GE3 характеристики
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerWDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 39W, 100W
Исполнение корпуса 8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number SIZ920
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V
  • Производитель
    Vishay Intertechnology Inc

Характеристики
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerWDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 39W, 100W
Исполнение корпуса 8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number SIZ920
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V

SIZ920DT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
SIZ920DT-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Intertechnology Inc

Бесплатная доставка SIZ920DT-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIZ920DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
LM5112MY
Texas Instruments
IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP
1 шт.
по запросу
Подробнее
Смотреть все

Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 2 206 ₽
+ 331
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1 986 ₽
+ 298
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 986 ₽
+ 298
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 604 ₽
+ 241
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1 768 ₽
+ 265
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
196 шт.
от 1 415 ₽
+ 212
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
50 шт.
от 1 552 ₽
+ 233
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
151 шт.
от 1 552 ₽
+ 233
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
895 шт.
от 1 552 ₽
+ 233
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
183 шт.
от 1 552 ₽
+ 233
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
44 шт.
от 1 437 ₽
+ 216
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
45 шт.
от 1 921 ₽
+ 288
Смотреть все
Выберите ваш город