SIZ910DT-T1-GE3 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR, Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	48W, 100W
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number	SIZ910
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	48W, 100W
Исполнение корпуса	8-PowerPair® (6x5)
Base Part Number	SIZ910
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V